적외선 발광부 소스(Emitter, 이미터)로써 전기 저항의 온도 계수가 매우 낮은 특징을 가지고 있습니다. 제품 방출체 표면은 나노 기술과 고용율 금속으로 이루어져 흑체에 가까운 방사율을 제공하며 이를 기반으로 다양한 응용분야에 활용될 수 있습니다.
· 2µm에서 최대 20µm의 넓은 파장 범위
· TO5, TO8, TO39 다양한 패키지와 SMD 타입 보유
· 경쟁사 대비 최대 1000% 높은 흑체 스펙트럼
· 215mW의 광학 출력
· 장기적이고 안정적인 동작
| Product name |
Package | Radiating element area |
Radiating element emissivity |
Radiating element temperature |
Optical output power |
Max. electrical power (DC) |
Max. electrical voltage |
Max. electrical current |
Electrical cold resistance |
Electrical hot resistance |
Modulation frequency |
Filter/ Window |
Wavelength range |
Filling gas |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Notes |
HIS20smd-0 HIS20smd-A HIS20smd-S |
SMD (3x3 mm²) |
0.32 mm² | > 0.9 | 700 °C at 175 mW |
up to 15 mW up to 11 mW up to 13 mW |
175 mW | 1.25 V | 140 mA | 8.5 +/- 1 Ω | 8.5 +/- 1 Ω | 14 Hz* |
None Sapphire (glued) Si-ARC (glued) |
2 to 20 µm 2 to 6 µm 2 to 14 µm |
None |
Notes |
HIS100smd-0 HIS100smd-A HIS100smd-S |
SMD (3x3 mm²) |
1 mm² | > 0.9 | 600 °C at 290 mW |
up to 30 mW up to 22 mW up to 26 mW |
290 mW | 1.7 V | 170 mA | 9.5 +/- 1 Ω | 9.5 +/- 1 Ω | 10 Hz* |
None Sapphire (glued) Si-ARC (glued) |
2 to 20 µm 2 to 6 µm 2 to 14 µm |
None |
Notes |
HIS180smd-0 HIS180smd-A HIS180smd-S |
SMD (3x3 mm²) |
1.8 mm² | > 0.9 |
500 °C at 330 mW 550 °C at 390 mW 550 °C at 390 mW |
up to 40 mW up to 23 mW up to 35 mW |
330 mW 390 mW 390 mW |
2.6 V 2.8 V 2.8 V |
125 mA 140 mA 140 mA |
20 +/- 2 Ω | 20 +/- 2 Ω | 8 Hz* |
None Sapphire (glued) Si-ARC (glued) |
2 to 20 µm 2 to 6 µm 2 to 14 µm |
None |
| Product name |
Package | Radiating element area |
Radiating element emissivity |
Radiating element temperature |
Optical output power |
Max. electrical power (DC) |
Max. electrical voltage |
Max. electrical current |
Electrical cold resistance |
Electrical hot resistance |
Filter/ Window |
Wavelength range |
Filling gas |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Notes |
HIS550R-0 | TO-39 / TO-5 | 11 mm² | > 0.9 | 600 °C at 650 mW | up to 195 mW | 700 mW | 4.0 V | 175 mA |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
None | 2 to 20 µm | None |
Notes |
HIS550R-0WC | TO-39 / TO-5 | 11 mm² | > 0.9 | 600 °C at 650 mW | up to 215 mW | 700 mW | 4.0 V | 175 mA |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
None | 2 to 20 µm | None |
Notes |
HIS550R-A | TO-39 / TO-5 | 11 mm² | > 0.9 | 600 °C at 650 mW | up to 160 mW | 700 mW | 4.0 V | 175 mA |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
Sapphire (soldered) | 2 to 6 µm | Nitrogen |
Notes |
HIS550R-B | TO-39 / TO-5 | 11 mm² | > 0.9 | 600 °C at 650 mW | up to 220 mW | 700 mW | 4.0 V | 175 mA |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
BaF₂ (glued) | 2 to 14 µm | Nitrogen |
Notes |
HIS550R-C | TO-39 / TO-5 | 11 mm² | > 0.9 | 600 °C at 650 mW | up to 215 mW | 700 mW | 4.0 V | 175 mA |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
22 +/- 3 Ω (typ. 21...23 Ω) |
CaF₂ (glued) | 2 to 11 µm | Nitrogen |
| Product name |
Package | Radiating element area |
Radiating element emissivity |
Radiating element temperature |
Optical output power |
Max. electrical power (DC) |
Max. electrical voltage |
Max. electrical current |
Electrical cold resistance |
Electrical hot resistance |
Modulation frequency |
Filter/ Window |
Wavelength range |
Filling gas |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Notes |
HIS2000R-0 | TO-8 | 40 mm² | > 0.9 | 630 °C at 2.5 W | up to 1 W | 2.5 W | 3.8 V | 660 mA | 5.5 +/- 1 Ω | 5.5 +/- 1 Ω | 4 Hz* | None | 2 to 20 µm | None |
Notes |
HIS2000R-A300-6 | TO-8 | 40 mm² | > 0.9 | 630 °C at 2.5 W | up to 620 mW | 2.5 W | 3.8 V | 660 mA | 5.5 +/- 1 Ω | 5.5 +/- 1 Ω | 4 Hz* | Sapphire (soldered) | 2 to 6 µm | Nitrogen |
Notes |
HIS2000R-C300-6 | TO-8 | 40 mm² | > 0.9 | 630 °C at 2.5 W | up to 780 mW | 2.5 W | 3.8 V | 660 mA | 5.5 +/- 1 Ω | 5.5 +/- 1 Ω | 4 Hz* | CaF₂ (glued) | 2 to 11 µm | Nitrogen |
Notes |
HIS2000R-A300-9 | TO-8 | 40 mm² | > 0.9 | 630 °C at 2.5 W | up to 560 mW | 2.5 W | 3.8 V | 660 mA | 5.5 +/- 1 Ω | 5.5 +/- 1 Ω | 4 Hz* | Sapphire (soldered) | 2 to 6 µm | Nitrogen |
Notes |
HIS2000R-C300-9 | TO-8 | 40 mm² | > 0.9 | 630 °C at 2.5 W | up to 730 mW | 2.5 W | 3.8 V | 660 mA | 5.5 +/- 1 Ω | 5.5 +/- 1 Ω | 4 Hz* | CaF₂ (glued) | 2 to 11 µm | Nitrogen |
Notes |
HIS2000R-0WC | TO-8 | 40 mm² | > 0.9 | 630 °C at 2.5 W | up to 830 mW | 2.5 W | 3.8 V | 660 mA | 5.5 +/- 1 Ω | 5.5 +/- 1 Ω | 4 Hz* | None | 2 to 20 µm | None |
Notes |
HIS2000R-CWC300 | TO-8 | 40 mm² | > 0.9 | 630 °C at 2.5 W | up to 725 mW | 2.5 W | 3.8 V | 660 mA | 5.5 +/- 1 Ω | 5.5 +/- 1 Ω | 4 Hz* | CaF₂ (soldered) | 2 to 11 µm | Nitrogen |
Notes |
HIS2000R-BWC300 | TO-8 | 40 mm² | > 0.9 | 630 °C at 2.5 W | up to 740 mW | 2.5 W | 3.8 V | 660 mA | 5.5 +/- 1 Ω | 5.5 +/- 1 Ω | 4 Hz* | BaF₂ (soldered) | 2 to 14 µm | Nitrogen |
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